半导体最新技术-FinFET工艺，本文带你一秒读懂
2010年后，BulkCMOS工艺技术在20nm走到尽头。自20nm及以下开始由平面晶体管进入三维FinFET结构，之后FinFET工艺成为主导。tektronix值得一提的是，FinFET工艺的发明者胡正明教授认为FinFET的真正影响是打破了原来英特尔对全世界宣布的将来半导体的限制，电子元器件这项技术现在仍看不到极限。如今，三星与台积电较劲，将5nm、3nmFinFET正式纳入开发蓝图。那么到底什么是FinFET？读完本文，便会知晓。什么是FET？
FET的全名是场效晶体管（FieldEffectTransistor，FET），先从大家较耳熟能详的MOS来说明。MOS的全名是金属－氧化物－半导体场效晶体管（metalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor，MOSFET），balluff构造如图一所示，左边灰色的区域（硅）叫做源极（Source），右边灰色的区域（硅）叫做汲极（Drain），中间有块金属（红色）突出来叫做闸极（Gate），闸极下方有一层厚度很薄的氧化物（黄色），因为中间由上而下依序为金属（metal）、氧化物（Oxide）、半导体（Semiconductor），因此称为MOS。
MOSFET的工作原理与用途
MOSFET的工作原理很简单，电子由左边的源极流入，经过闸极下方的电子信道，由右边的汲极流出，中间的闸极则可以决定是否让电子由下方通过，有点像是水龙头的开关一样，因此称为闸；电子是由源极流入，也就是电子的来源，因此称为源；电子是由汲极流出，看看说文解字里的介绍：汲者，引水于井也，也就是由这里取出电子，因此称为汲。
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·当闸极不加电压，电子无法导通，代表这个位是0，如图一（a）所示；
·当闸极加正电压，电子可以导通，代表这个位是1，如图一（b）所示。
MOSFET是目前半导体产业最常使用的一种场效晶体管（FET），科学家将它制作在硅晶圆上，是数字讯号的最小单位，一个MOSFET代表一个0或一个1，就是计算机里的一个位（bit）。计算机是以0与1两种数字讯号来运算；我们可以想象在硅芯片上有数十亿个MOSFET，就代表数十亿个0与1，再用金属导线将这数十亿个MOSFET的源极、汲极、闸极链接起来，电子讯号在这数十亿个0与1之间流通就可以交互运算，最后得到使用者想要的加、减、乘、除运算结果，这就是计算机的基本工作原理。晶圆厂像台积电、联电，就是在硅晶圆上制作数十亿个MOSFET的工厂。
闸极长度：半导体制程进步的关键
在MOSFET中，闸极长度（Gatelength）大约10奈米，是所有构造中最细小也最难制作的，因此我们常常以闸极长度来代表半导体工艺的进步程度，这就是所谓的工艺线宽。闸极长度会随工艺技术的进步而变小，从早期的0.18微米、0.13微米，进步到90奈米、65奈米、45奈米、22奈米，到目前最新工艺10奈米。当闸极长度愈小，则整个MOSFET就愈小，而同样含有数十亿个MOSFET的芯片就愈小，封装以后的集成电路就愈小，最后做出来的手机就愈小啰！。10奈米到底有多小呢？细菌大约1微米，病毒大约100奈米，换句话说，人类现在的工艺技术可以制作出只有病毒1/10（10奈米）的结构，厉害吧！
注：工艺线宽其实就是闸极长度，只是图一看起来10奈米的闸极长度反而比较短，因此有人习惯把它叫做「线宽」。
FinFET将半导体制程带入新境界
MOSFET的结构自发明以来，到现在已使用超过40年，当闸极长度缩小到20奈米以下的时候，遇到了许多问题，其中最麻烦的是当闸极长度愈小，源极和汲极的距离就愈近，闸极下方的氧化物也愈薄，电子有可能偷偷溜过去产生漏电（Leakage）；另外一个更麻烦的问题，原本电子是否能由源极流到汲极是由闸极电压来控制的，但是闸极长度愈小，则闸极与通道之间的接触面积（图一红色虚线区域）愈小，也就是闸极对通道的影响力愈小，要如何才能保持闸极对通道的影响力（接触面积）呢？
因此美国加州大学伯克莱分校胡正明、Tsu-JaeKing-Liu、JeffreyBokor等三位教授发明了鳍式场效晶体管（FinFieldEffectTransistor，FinFET），把原本2D构造的MOSFET改为3D的FinFET，如图二所示，因为构造很像鱼鳍，因此称为鳍式（Fin）。
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由图中可以看出原本的源极和汲极拉高变成立体板状结构，让源极和汲极之间的通道变成板状，则闸极与通道之间的接触面积变大了（图二黄色的氧化物与下方接触的区域明显比图一红色虚线区域还大），这样一来即使闸极长度缩小到20奈米以下，仍然保留很大的接触面积，可以控制电子是否能由源极流到汲极，因此可以更妥善的控制电流，同时降低漏电和动态功率耗损，所谓动态功率耗损就是这个FinFET由状态0变1或由1变0时所消耗的电能，降低漏电和动态功率耗损就可以更省电！
总结：鳍式场效晶体管是闸极长度缩小到20奈米以下的关键，拥有这个技术的工艺与专利，才能确保未来在半导体市场上的竞争力，这也是让许多国际大厂趋之若骛的主因。半导体工艺发展到现在，包括7nm、5nm、3nm，甚至以后的1nm，都离不开FinFET工艺。FinFET工艺发明人胡正明教授，也是梁孟松的博士论文指导教授。换句话说，梁孟松是这个技术的核心人物之一，他离开台积电加入三星之后，目前任职中芯国际联席CEO，而这也是三星甚至中芯国际能够快速提升工艺制程的重要原因之一。
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